特許
J-GLOBAL ID:200903010799272823
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-518129
公開番号(公開出願番号):特表2001-521293
出願日: 1998年10月15日
公開日(公表日): 2001年11月06日
要約:
【要約】記述された蒸着システムは、輸送重合および化学気相成長法用に使用される新しい前駆物質および化学プロセスを適応させるために設計された。本システムは主に反応器、液体注入器またはガス質量流量制御器、亀裂器、および亜大気圧下の蒸着チャンバーより成る。亀裂器は熱、光子、およびプラズマを含む一つ以上のタイプのエネルギーを利用する。本発明は、0.25μm未満のサイズの特性を備えた集積回路の製造における金属間誘電体(IMD)およびレベル間誘電体(ILD)適用に対して、F-PPX(弗化ポリ(パラキシリレン))および他の弗化ポリマー薄膜を作製するために特に有用である。
請求項(抜粋):
前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された移動可能流れパターン調節器を有する、 ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム(反応器)。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/31 C
, C23C 16/448
Fターム (26件):
4K030AA04
, 4K030AA09
, 4K030BA24
, 4K030BA61
, 4K030EA01
, 4K030FA06
, 4K030FA08
, 4K030KA12
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AA11
, 5F045AA16
, 5F045AB39
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AF03
, 5F045DC63
, 5F045EE02
, 5F045EE10
, 5F045EJ03
, 5F045EM04
, 5F045EM05
引用特許:
審査官引用 (12件)
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-206457
出願人:ヤマハ株式会社
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特公昭62-001534
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特開昭62-092311
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光励起ガス反応装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-029373
出願人:株式会社日立製作所
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非単結晶シリコン膜の形成方法および形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-329017
出願人:キヤノン株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-258744
出願人:富士通株式会社
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特開平1-165603
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特公昭61-040034
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特開平1-119029
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特開昭62-196373
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特開平4-237123
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特開平1-155615
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