特許

J-GLOBAL ID：200903010805220482

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 関 浩一 ,  和田 武史 ,  武藤 匡志 ,  窪田 康郎 ,  庄司 和良
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289672
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135087
出願日： 1989年09月20日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 回路の簡素化を図りつつ、メモリセルの消去制御を安定的に行うこと及び使い勝手を良くしたができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 複数のメモリセルと、メモリセルに記憶されたデータを読み出す読み出しモードにおいて、外部アドレス信号が入力される外部端子と、順次アドレス信号を生成するアドレス信号生成回路を含み、メモリセルのしきい値電圧を所定のしきい値レベルに変化させる消去モードにおいて、メモリセルのしきい値電圧を上記所定のしきい値レベルに向けて変化させる消去動作とその後の消去ベリファイ動作を行う消去制御回路とを有し、上記不揮発性半導体記憶装置の外部に上記消去ベリファイ動作の状況を上記消去モードにおいて出力する出力回路を設ける。

請求項（抜粋）：

データポーリングモ-ドを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 612 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371