特許
J-GLOBAL ID：200903010807641450
光導波路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-110426
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 基板上の余分な第1クラッド層用ガラス膜を均一に研磨して削り取ることができ、光学特性の優れた光導波路の製造方法を提供する。【構成】 基板20上にベンチ23a とこれと同じ高さの凸状部23b を形成し、基板20上にガラス膜24を形成することにより溝内に第1クラッド層25を埋め込むと共に、基板23に形成された余分なガラス膜24a,24b を研磨により均一に削り取ってベンチ23a 及び凸状部23b の面を露出させる。次に基板に埋め込まれた第1クラッド層25の上にコア導波路27を形成し、コア導波路27上に第2クラッド層29を形成し、第2クラッド層29に微細加工を施すことにより基板上に半導体素子を載置するためのベンチ23a を再び露出させる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1クラッド層を埋め込むための溝及び半導体素子を載置するための凸状のベンチを形成し、該基板上に上記溝を埋め込むのに充分な厚さを有する第1クラッド層用ガラス膜を形成すると共に、上記基板に形成された余分なガラス膜を上記ベンチが露出するまで研磨し、この研磨後の基板上にコアガラス膜を形成し、該コアガラス膜にフォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチングを施して上記溝内に埋め込まれた第1クラッド層上にコア導波路を形成し、該コア導波路を形成した基板上に第2クラッド層を形成し、上記第2クラッド層に対してフォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチングを用いて微細加工を施すことにより上記ベンチを露出させる光導波路の製造方法において、上記ベンチを形成する際、ベンチ用パターン及び研磨用ダミーパターンが配列されたベンチ用フォトマスクを用いて上記基板上に上記ベンチと同じ高さの凸状部を上記ベンチと共に形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, G02B 6/12 B
