特許
J-GLOBAL ID：200903010813716934
電子写真用光受容部材及び2次イオン質量分析による界面の評価システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186764
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐久性を損なわず、さらに悪環境下での耐久特性を大幅に改善する。多層膜の界面の急峻性を従来よりも、より正確に評価する。【構成】 非単結晶Si系材料の光導電性層102 と、Si原子、C原子を母体とした表面層103 とを有し、表面層103 のC原子が4本の結合手を持つタ ゙イヤモント ゙結合のC原子と、3本の結合手を持つク ゙ラファイト結合のC原子とからなり、表面層103 中の全炭素原子の数に対してク ゙ラファイト結合のC原子が2%以上30%以下である。2イオン質量分析(SIMS)で積層膜界面の急峻性を測定するシステムに於いて、注目元素のSIMSの厚さ方向の測定値から界面の急峻性の目安となる分散を計算するユニットと、該分散をSIMSの注目パラメーターに対し表示する計算ユニットとを有する。
請求項（抜粋）：
少なくとも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電性層と、シリコン原子、炭素原子を母体とした表面層とを有する電子写真用光受容部材において、前記表面層の炭素原子が4本の結合手を持つダイヤモンド結合をする炭素原子と、3本の結合手を持つグラファイト結合をする炭素原子とからなり、前記表面層中に含有する全炭素原子の数に対してグラファイト結合をする炭素原子が2%以上30%以下であることを特徴とする電子写真用光受容部材。
引用特許：
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