分子配向プリフォームの成形方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：増田竹夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-512411
公開番号（公開出願番号）：特表平9-504240
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】本発明は、片端が開口しているほぼ円筒形の中空プリフォームを分子配向プラスチック容器に成形する方法に関するものである。そのプリフォームは後で絞り中空成形するものであって、部分的に結晶である分子配向可能なプラスチックを射出成形して得る。本発明の成形は下記のように行なう。すなわち、分子フロー配向(molecular flow orientation)と残留応力とを極力抑制すべく制御した所定充填レート(fill rate)でプリフォーム金型へ溶融材料を注入する。その所定充填レート制御がなければ分子配向と残留応力とは両方とも溶融材料注入の際に発生してしまう。次にそのプリフォームを、輻射熱源によって結晶融点以下で再加熱して、結晶核の溶融を伴わない相互結晶構造の融点にする。加熱ゾーンの幾何学的形に起因するいわゆる周辺効果を回避するためにプリフォームの両端の肉厚を小さくする。さらにそのプリフォームを金型へ急速トランスファーし、この金型の中でプリフォームをその閉端に係合するロッドで軸方向に絞った後、研磨した金型表面に対して急速クエンチする。

請求項（抜粋）：

後で絞り中空成形する、閉端をもったプリフォームを、部分的に結晶である分子配向可能なプラスチックのメルトを所定の充填レートでプリフォーム金型キャビティに注入して、射出成形する方法において、金型への注入によって上記のプラスチック材料に誘起する分子フロー配向と発生する残留応力とを最小化するように充填レートを制御し、その充填レートを約3g/秒〜5g/秒とする分子配向プリフォーム成形方法。

IPC (4件)：

B29C 49/06 , B29B 11/08 , B29C 45/46 , B29C 45/77

FI (4件)：

B29C 49/06 , B29B 11/08 , B29C 45/46 , B29C 45/77

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