特許
J-GLOBAL ID：200903010817178716

シアナト基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法

発明者：
多田 祐二

多田 祐二 について

, 
守屋 成真

守屋 成真 について

, 
池田 憲明

池田 憲明 について


出願人/特許権者：
株式会社伏見製薬所

株式会社伏見製薬所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090638
公開番号（公開出願番号）：特開2008-248066
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性および誘電特性を損ないにくいホスファゼン化合物を提供する。【解決手段】下記の式で表されるホスファゼン化合物。nは3〜15の整数を示す。Aの一例は、シアナトフェニル置換フェニルオキシ基である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記の式(1)で表されるシアナト基含有環状ホスファゼン化合物。
IPC (5件)：
C08G 79/02 ,  C08L 101/00 ,  C08K 5/539 ,  C07F 9/659 ,  C08L 85/02
FI (5件)：
C08G79/02 ,  C08L101/00 ,  C08K5/5399 ,  C07F9/6593 ,  C08L85/02
Fターム (63件)：
4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB48 ,  4H050WA15 ,  4H050WA23 ,  4J002AA00W ,  4J002AC03W ,  4J002AC06W ,  4J002BB03W ,  4J002BB24W ,  4J002BC03W ,  4J002BC06W ,  4J002BD04W ,  4J002BG04W ,  4J002BG06W ,  4J002BN12W ,  4J002BN14W ,  4J002BN15W ,  4J002BN16W ,  4J002CC00W ,  4J002CC18W ,  4J002CD02W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CD07W ,  4J002CD10W ,  4J002CD11W ,  4J002CD12W ,  4J002CD13W ,  4J002CD14W ,  4J002CF05W ,  4J002CF06W ,  4J002CF07W ,  4J002CF08W ,  4J002CF09W ,  4J002CF16W ,  4J002CF21W ,  4J002CF23W ,  4J002CG00W ,  4J002CH07W ,  4J002CH09W ,  4J002CK01W ,  4J002CK02W ,  4J002CL00W ,  4J002CM00W ,  4J002CM01W ,  4J002CM02W ,  4J002CM04W ,  4J002CM05W ,  4J002CN01W ,  4J002CN03W ,  4J002CP00W ,  4J002CQ01X ,  4J002EW156 ,  4J002FD010 ,  4J002FD130 ,  4J002GH01 ,  4J002GJ01 ,  4J002GQ01 ,  4J030CB43 ,  4J030CF02 ,  4J030CG22
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM