コンタクトを含む半導体デバイスとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226147
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204246
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】コンタクトを含む半導体デバイスとその製造方法を提供する。【構成】耐火性金属コンタクトを含むデバイスの製造法において、(a)酸化物層4上に配置されたドープトポリシリコン領域6を有するシリコン基板2を設ける段階と、(b)領域6と基板2の上に誘電層14を配置する段階と、(c)領域6の一部と基板2の横方向に隣接した部分とを露出するコンタクトホール16を誘電層14の中に形成する段階と、(d)コンタクト20を前記コンタクトホール16の中に選択的に付着して領域6と基板2とを相互に接続する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上の酸化物層と、前記酸化物層上に配置されたドープトポリシリコン領域と、前記ドープトポリシリコン領域および前記シリコン基板の上に配置された誘電層と、前記誘電層の中に形成されて前記ドープトポリシリコン領域と前記シリコン基板のそれぞれ横方向隣接部分の上に延在するコンタクトホールと、前記コンタクトホールの中に選択的に配置されて前記隣接部分を相互に接続するコンタクトとを含む事を特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 21/88 P , H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平1-189938
特開平1-189938
特開平4-159717

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