特許

J-GLOBAL ID：200903010821509549

光半導体モジュールの製造方法および製造装置

発明者： 執行 和浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058165
公開番号（公開出願番号）：特開2002-258118
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 光部品や基板を赤外線が透過しなくても、しかも基板に接合しない状態でLDに通電してレーザ光を発振しなくても、高精度の光軸合わせが可能な光半導体モジュールの製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 基板16上に、光ファイバ11とレーザダイオード14またはフォトダイオードとが固定された光半導体モジュールの製造方法であって、上記基板上の所定位置に上記光ファイバを固定する工程、および上記光ファイバから上記ダイオードに対して上記ダイオードの発振または検出するレーザ波長と同じ波長のレーザ光を入射し、上記ダイオードから検出される42光電流が最大となる位置で上記ダイオードを上記基板に固定する工程を備えた。

請求項（抜粋）：

基板上に、光ファイバとレーザダイオードまたはフォトダイオードとが固定された光半導体モジュールの製造方法であって、上記基板上の所定位置に上記光ファイバを固定する工程、および上記光ファイバから上記ダイオードに対して上記ダイオードの発振または検出するレーザ波長と同じ波長のレーザ光を入射し、上記ダイオードから検出される光電流が最大となる位置で上記ダイオードを上記基板に固定する工程を備えたことを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。

IPC (3件)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H01S 5/022

FI (3件)：

G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 C

Fターム (22件)：

2H037AA01 ,  2H037AA04 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037BA21 ,  2H037DA18 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22 ,  5F088AB07 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088JA03 ,  5F088JA12 ,  5F088JA14 ,  5F088JA20 ,  5F088LA01