特許
J-GLOBAL ID：200903010824452890
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118658
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326669
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスを簡略化し、且つ、形成された配線間の容量を低減し、半導体装置の高速動作を可能とする。【構成】 半導体装置の配線間の静電容量を減少させるため、第1と第2の金属配線間を接続させるコンタクト穴を感光性の樹脂(5)等で形成し、または、この感光性の樹脂膜をマスクとしてその下の絶縁膜をエッチングした後、この樹脂膜をそのまま層間絶縁膜として利用することとした。また、この半導体装置においては、酸素プラズマを用いたフォトレジスト除去工程やコンタクト穴を形成する際のドライエッチング工程が省略して、これらのプラズマプロセスに弱い有機物を含んだ低誘電率の層間絶縁膜を利用することとした。
請求項（抜粋）：
多層配線を有する半導体装置であって、第1と第2の金属配線の間を接続させるコンタクト穴を規定する感光性樹脂膜と、該樹脂膜を層間絶縁膜とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/90 B
, H01L 21/90 K
, H01L 21/90 S
