特許
J-GLOBAL ID：200903010830999079

LiMn2O4薄膜の合成方法、リチウム電池の製造方法及びスパッタ装置

発明者：
伊藤 泰充

伊藤 泰充 について


出願人/特許権者：
スズキ株式会社

スズキ株式会社 について


代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011611
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：
【要約】【課題】 リチウム電池の正極材料となるLiMn2O4薄膜を簡易に得る方法を提供する。【解決手段】 三酸化二マンガンとリチウムをターゲットに含む反応性スパッタを連続して用いるLiMn2O4薄膜の合成方法であって、基板にβ-二酸化マンガンを蒸着する段階、得られたβ-二酸化マンガン薄膜上にリチウムを蒸着する段階、さらにβ-二酸化マンガンを蒸着する段階とを含むLiMn2O4薄膜の作製方法による。
請求項（抜粋）：
三酸化二マンガンとリチウムをターゲットに含む反応性スパッタを連続して用いるLiMn2O4薄膜の合成方法であって、基板にβ-二酸化マンガンを蒸着する段階、得られたβ-二酸化マンガン薄膜上にリチウムを蒸着する段階、さらにβ-二酸化マンガンを蒸着する段階とを含むLiMn2O4薄膜の合成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 10/40
FI (6件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 C ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/04 Z ,  H01M 10/40 B ,  H01M 10/40 Z
Fターム (34件)：
4K029AA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029JA02 ,  5H014AA02 ,  5H014AA04 ,  5H014BB08 ,  5H014BB17 ,  5H014CC01 ,  5H014EE05 ,  5H014EE10 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM02 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ02 ,  5H029BJ03 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029BJ14 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ30 ,  5H029DJ07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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