特許
J-GLOBAL ID：200903010831366339
光導波路の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294653
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 光集積回路の一部を構成する光導波路の屈折率を正確且つ容易に制御可能にする。【構成】 SiO2層2を有する基板1上に屈折率制御用のドーパントSiを含むAl合金膜3を形成し、このAl合金膜3の一部を除去して光導波路パターンを形成した後、陽極酸化にて屈折率制御用ドーパントSiを含むAl合金のリッジ部4を透明な酸化物リッジ部5に変換させて光の伝搬領域であるコアを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に低屈折率層を形成し、この低屈折率層の上に屈折率制御用のドーパントを含むAl合金膜を形成し、このAl合金膜の一部を除去して光導波路パターンを形成した後、陽極酸化にて前記屈折率制御用ドーパントを含むAl合金膜を透明膜に変換させて光の伝搬領域であるコアを形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (3件)：
C03B 19/01
, C03B 19/14
, G02B 6/12
