特許

J-GLOBAL ID：200903010842275610

非晶質シリコン薄膜型太陽電池用絶縁基板

発明者： 森 浩治 ,  渡辺 啓一 ,  大久保 謙一 ,  輿石 謙二
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343535
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177111
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【目的】 高い光電変換効率を呈するテクスチャー構造をもつ非晶質シリコン薄膜型太陽電池用絶縁基板を得る。【構成】 この絶縁基板は、平均粒径0.1〜3μmの顔料を3〜50体積%配合した耐熱樹脂からなる電気絶縁層が金属基板の表面に設けられ、電気絶縁層の表面粗さがRmax 0.3〜1.5μmに調節されている。酸化チタン,アルミナ,シリカ等が顔料として、ポリエーテルスルホン樹脂,ポリイミド樹脂等が耐熱樹脂として使用される。【効果】 耐熱樹脂に分散した顔料で電気絶縁層の表面に凹凸をつけているため、表面粗さがRmax 0.3〜1.5μmと大きくても、膜切れのない非晶質シリコン薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

平均粒径0.1〜3μmの顔料を3〜50体積%配合した耐熱樹脂からなる電気絶縁層が金属基板の表面に設けられ、前記電気絶縁層の表面粗さがRmax 0.3〜1.5μmに調節されている非晶質シリコン薄膜型太陽電池用絶縁基板。