特許

J-GLOBAL ID：200903010849110730

半導体装置

発明者： 実沢 佳居 ,  秋月 誠 ,  青江 弘行 ,  平瀬 征基 ,  齋田 敦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132183
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274174
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】 水分が層間絶縁膜に覆われている導電層に与える悪影響を防止し、半導体装置としての信頼性を高めること。【解決手段】 導電層13、18間の層間絶縁膜100を、熱CVD法を用いて形成されたシリコン酸化膜15をプラズマCVD法を用いて形成されたシリコン酸化膜14、15で挟んだ構造とし、且つシリコン酸化膜16の厚さを200nm以上とする。厚さ200nm以上の吸湿性がきわめて低いシリコン酸化膜16により、酸化膜15における吸湿を防止すると共に、酸化膜14により、万一酸化膜15が吸湿しても、水分が導電層13に到達することを防止するので、この酸化膜14と16との相乗効果により、導電層13への水分の進出を効果的に遮断することができる。

請求項（抜粋）：

複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第1絶縁膜とプラズマCVD法を用いて形成され、前記第1絶縁膜の表面を覆うシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを200nm以上とし、更に、前記第1絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第1絶縁膜よりも吸湿性の低い第2絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-194932