特許

J-GLOBAL ID：200903010850331651

薄膜形成方法

発明者： 山本 健一 ,  二宮 健 ,  長谷川 正樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142434
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】自然酸化膜を除去してSiウエハ表面を安定化した後、一様で良質な薄膜を形成する薄膜形成方法を提供することにある。【構成】超高真空に排気された反応管1内に、H2 ガスを導入し、Wフィラメント4を1800°Cまで通電加熱すると、H2 分子が解離し原子状水素Hが発生する。このH原子とHFガスを、試料台6に設置された自然酸化膜を有するSiウエハ8に照射する。Si酸化膜はHFガスによりエッチングされ、、Si表面はHおよびFで終端される。さらに、Hに対するFの割合を制御することにより、Hのみで終端したSi表面が形成される。このSiウェハを酸化膜形成装置,MBE装置等の成膜装置に移動させて薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

試料台,ガス導入手段,排気手段を有する反応室に、前記ガス導入手段として原子状水素または水素プラズマ導入手段に加えて、気体状フッ化水素または原子状フッ素または分子状フッ素導入手段を設けた表面処理装置でSiウェハを表面処理した後、絶縁体薄膜,半導体薄膜,金属薄膜などの膜形成装置により成膜することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065