特許
J-GLOBAL ID：200903010852089807
容量素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132733
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329636
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 容量素子の接合強度を向上させるとともに隣接する他の部品と短絡および第一の電極と第二の電極との短絡を防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすることにある。【解決手段】 誘電体板1の両主面に密着金属層2a,3aと拡散防止層2b,3bと主導体層2c,3cとを順次積層して成る、第一の電極2および第二の電極3がそれぞれ形成されており、第二の電極3は、主面の全面に形成されており、かつ外周部の全周で主導体層3cが薄くなっている。
請求項（抜粋）：
誘電体板の両主面に密着金属層と拡散防止層と主導体層とを順次積層して成る電極を形成した容量素子において、少なくとも一方の前記電極が、前記誘電体板の主面全面に形成されており、かつ外周部の全周で前記主導体層が薄くなっていることを特徴とする容量素子。
Fターム (2件)：
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