特許
J-GLOBAL ID：200903010853475093
絶縁ゲート型電界効果半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311519
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161996
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 低温でゲート絶縁膜を形成すると、SiO2膜中に多量のトラップを含み、界面準位密度も高いため、TFT特性が悪化する。また、これらのトラップがホットエレクトロン注入の原因となるため、素子の信頼性も低下する。このため界面近傍のSiO2を緻密化と界面の再構成により、界面準位密度を低減し、界面層にSiON層を導入することで、ホットエレクトロンに強くする。【構成】 TFTのゲート絶縁膜形成工程を3工程に分け、最初に極薄いSiO2膜(1〜10nm)を成膜し、N原子を含むガスでプラズマ処理する。その後、SiO2を成膜してゲート絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたポリSi層と、該ポリSi層上に形成されたSiON層と該SiON層上に形成されたSiO2層とからなる絶縁ゲート層と、該絶縁ゲート層上に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置。
引用特許：
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