特許
J-GLOBAL ID：200903010854147979
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266252
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】深さの異なるコンタクト孔を開口する半導体装置の製造方法において、エッチング残さがコンタクト孔の側面に付着するのを防ぐとともに、開口後のコンタクト径の精度を高くして歩留まり、信頼性を向上させること。【解決手段】浅いコンタクト孔13-3Aを開口する導電層(7a)上のみに、エッチングレートの低い絶縁膜14aを残すことにより、深いコンタクト孔13-1に対して、浅いコンタクト孔のオーバーエッチが低減される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の導電層パターン及びこれより前記半導体基板表面からみた高さが大きく表面を第1の絶縁膜で覆われた第2の導電層パターンを形成する工程と、所定のエッチング手段に対して前記第1の絶縁膜よりエッチングレートの大きい第2の絶縁膜を全面に堆積したのち平坦化処理を行なう工程と、前記エッチング手段により第2の絶縁膜表面から第1の導電層パターン及び第2の導電層パターンにそれぞれ達する第1のコンタクト孔及び第2のコンタクト孔を同時に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/28 L
