特許

J-GLOBAL ID：200903010864162585

レジストパターンの形成方法

発明者： 田中 裕之 ,  及川 朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157738
公開番号（公開出願番号）：特開平6-003828
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、レジストパターンを微細に形成する際にレジストパターン上部に庇が生じないようにすることができ、レジストパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができ、エッチング後のパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 下層に少なくとも樹脂及び光酸発生剤からなるポジ型化学増幅レジストを用い、該下層のポジ型化学増幅レジスト上の上層に少なくともアルカリ可溶性樹脂を含む非感光性材料を用い、該上層及び該下層をパターニングしてレジストパターンを形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

下層に少なくとも樹脂及び光酸発生剤からなるポジ型化学増幅レジストを用い、該下層のポジ型化学増幅レジスト上の上層に少なくともアルカリ可溶性樹脂を含む非感光性材料を用い、該上層及び該下層をパターニングしてレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S