特許
J-GLOBAL ID:200903010865625929

集積回路における静電的放電に対してパッドを保護するためのダイオード構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-150515
公開番号(公開出願番号):特開平6-069501
出願日: 1993年06月22日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】【目的】 基板に接続された第1の供給端子(VSS)および第2の供給端子(VDD)の間に結合されたP型基板に形成される集積回路におけるパッドを保護するためのダイオード構造を提供する。【構成】 この構造はその端縁および底部がN型領域に接触するP型ポケット(23)と、ポケット(23)に形成されるN型エリア(26)と、第2の導電型の領域を横方向に囲み、基板に接触するN型リング(27,28)と、リングを取囲むP型ウェル(30,31,32)とを含む。リングとポケットとはパッドに接続され、ポケット(23)に形成されるN型エリア(26)は第2の供給端子(VDD)に接続され、ウェル(30,31,32)は第1の供給端子(VSS)に接続される。
請求項(抜粋):
第1の導電型の基板に形成され、基板に接続される第1の供給端子(VSS)と第2の供給端子(VDD)との間に供給される、集積回路における静電的放電に対してパッドを保護するためのダイオード構造であって、その端縁および底部が第2の導電型の領域(25,35)に接触する第1の導電型のポケット(23)を含み、その底部は前記基板に接触し、さらに前記ポケット(23)に形成される第2の導電型のエリア(26)と、第2の導電型の前記エリアを横方向に囲み、前記基板に接触する第2の導電型のリング(27,28)と、基板に接触し、前記リング(27,28)を取囲む第1の導電型のウェル(30,31,32)と、前記リングとの第1のコンタクトと、前記ポケットとの第2のコンタクトと、前記エリアとの第3のコンタクトと、前記ウェルとの第4のコンタクトと、前記第1および第2のコンタクトをパッドに接続するための手段と、第3のコンタクトを第2の供給端子に接続するための手段と、前記第4のコンタクトを第1の供給端子に接続するための手段とを含む、ダイオード構造。
IPC (3件):
H01L 29/784 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06
FI (2件):
H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/06 311 C
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開平1-235265
  • 特開平1-214055
  • 特開昭62-125659
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-235265
  • 特開平1-214055
  • 特開昭62-125659

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