特許

J-GLOBAL ID：200903010867894250

サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置

発明者： 錦戸 浩一 ,  中村 元宜 ,  広沢 敦彦 ,  飯田 昇 ,  佐藤 憲彦 ,  永戸 厚 ,  亀井 利之
出願人/特許権者： SUMCO TECHXIV株式会社 ,  株式会社小松製作所
代理人 (3件)： 木下 實三 ,  中山 寛二 ,  石崎 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-027113
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243167
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供すること。【解決手段】サセプタ2に、基板ウェハWよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部21と、このウェハ載置部21の周縁を囲む状態に起立する内周面22Aおよびこの内周面22Aの上端からウェハ載置部21の載置面21Aに沿って外側に延出形成される上面22Bを有する略リング板状の周縁部22と、を設けている。気相成長制御部23を、内周面23Aが周縁部22の内周面22Aに倣い、かつ、上面23Bが周縁部22の上面22Bに倣う状態で、SiC被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるSiO2により形成して設けている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、 前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、 このウェハ載置部の周縁を囲む状態に設けられた周縁部と、 この周縁部の少なくとも一部分に設けられ、前記ウェハ載置部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部における気相成長の速度を制御する気相成長制御部と、 を備えていることを特徴とするサセプタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C30B 7/10 ,  C30B 25/12

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C30B7/10 ,  C30B25/12

Fターム (30件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4G077TF03 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045EK11 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13 ,  5F045EK14 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB19 ,  5F045GB20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エピタキシャルウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198999   出願人：信越半導体株式会社