特許

J-GLOBAL ID：200903010869905675

半導体装置

発明者： 遠藤 徹 ,  岡島 義憲
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063091
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、冗長回路やプログラミング等に使用される半導体ヒューズを有する半導体装置に関し、半導体素子内部への水分の侵入を防止し、また、ヒューズ切断時のダメージによる電気的ショートの発生を防止した半導体装置を提供することを目的とする。【構成】p型半導体基板1に形成されたアイソレーション3により画定されたn型領域2と、半導体基板1上に形成されたフィールド酸化膜4と、n型領域2上部のフィールド酸化膜4上に形成されたヒューズ5と、フィールド酸化膜4上及びヒューズ5上に形成された層間絶縁膜6と、層間絶縁膜6上に形成され、ヒューズ5周囲にヒューズ開口部を有するパッシベーション膜7上部に形成された窒化膜9と、アイソレーション3とコンタクトし、フィールド酸化膜4及び層間絶縁膜6に埋込み形成されたAl層のガードリング8を備えるように構成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜上に形成されたヒューズと、前記フィールド酸化膜上及び前記ヒューズ上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ヒューズ上部が開口したヒューズ開口部を有するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上部に形成された窒化膜とを備え、前記ヒューズを切断することにより、配線の導通をオフさせる半導体装置において、前記パッシベーション膜下であって、前記ヒューズ開口部近傍の前記フィールド酸化膜及び前記層間絶縁膜に埋込み形成され、前記半導体基板とコンタクトするAl層のガードリングを備えたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-000956
  
• 特開平2-271555
  
• 特開平2-215149