特許
J-GLOBAL ID:200903010869959503
スルホン酸基含有ポリマー膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鳴井 義夫 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-140331
公開番号(公開出願番号):特開2002-332366
出願日: 2001年05月10日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 高分子固体電解質膜の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 スルホニルフルオライド基を側鎖末端に持つ繰り返し単位を含有するフッ素系ポリマーを、アミン処理することにより得られるポリマーを熱成形した後に酸で処理することにより1段階で、スルホン酸基を有する繰り返し単位を含有するフッ素系ポリマーに変換することを特徴とする、フッ素系スルホン酸基含有ポリマーの製造方法である。
請求項(抜粋):
下記一般式(1):【化1】 -Rf -SO3 H (1)(上記一般式(1)中、Rf は炭素数1〜4のパーフルオロアルキレン基を表す)で表されるスルホン酸含有基を側鎖に含有するポリマーからなる膜の製造方法であって、下記一般式(2)【化2】 -Rf -SO2 F (2)(上記一般式(2)中、Rf は上記一般式(1)と同じ)で表される置換基を側鎖に含有するポリマーを、水の存在下でアミン化合物と接触させる工程、2)得られた変性ポリマーを溶融製膜する工程、3)得られた膜を酸で処理する工程を順次経ることを特徴とする方法。
IPC (3件):
C08J 7/14 CEW
, C08F 8/26
, C08L 27:12
FI (3件):
C08J 7/14 CEW
, C08F 8/26
, C08L 27:12
Fターム (32件):
4F073AA27
, 4F073BA15
, 4F073BB01
, 4F073EA32
, 4F073EA33
, 4F073EA34
, 4F073EA35
, 4F073EA37
, 4F073EA38
, 4J100AC26P
, 4J100AE38Q
, 4J100AP01Q
, 4J100BA56H
, 4J100BA56Q
, 4J100BA57Q
, 4J100BB18Q
, 4J100CA04
, 4J100CA31
, 4J100DA01
, 4J100EA00
, 4J100HA25
, 4J100HB25
, 4J100HB26
, 4J100HB44
, 4J100HB52
, 4J100HB58
, 4J100HC27
, 4J100HC43
, 4J100HC71
, 4J100HE12
, 4J100HE14
, 4J100JA43
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