特許

J-GLOBAL ID：200903010872755102

ドライエッチング時に生成される側壁保護膜の洗浄方法

発明者： 古川 智晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007954
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209123
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ドライエッチング時に生成される側壁保護膜を酸化膜下地例えば電界効果トランジスタのゲート酸化膜にダメージを与えることなく除去することを目的とする。【解決手段】 酸化膜下地上にポリシリコン層3を含む形成層が形成され、この形成層上に形成されたレジストパターン5をマスクにこの形成層をドライエッチングする時に生成される側壁保護膜6を、このドライエッチング終了後に、過酸化水素水を使用して洗浄除去するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

酸化膜下地上にポリシリコン層を含む形成層が形成され、前記形成層上に形成されたレジストパターンをマスクに前記形成層をドライエッチングする時に生成される側壁保護膜を、前記ドライエッチング終了後に過酸化水素水を使用して洗浄除去するようにしたことを特徴とするドライエッチング時に生成される側壁保護膜の洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 301 Y