半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079923
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263452
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】活性領域に対してダメージやイオン注入機から物質による汚染をもたらすことなくフロントサイドゲッタリングにより活性領域中の汚染や欠陥を有効に除去する。【構成】半導体ウェハ1の活性領域以外の領域5の表面にゲッタリング用物質の選択的イオン注入を行い、ゲッター層3を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの活性領域以外の領域の表面部にゲッタリング用物質の選択的イオン注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法

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