特許

J-GLOBAL ID：200903010878870728

半導体装置の製造方法、リンス液、及び半導体基板洗浄液

発明者： 菅野 至
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102554
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297656
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 異種の絶縁膜のエッチング量を同一にしかつエッチング量を極力抑え、また、異種絶縁膜の選択エッチングを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体基板の洗浄において、少なくともフッ化水素又はフッ化アンモニウムのいずれかを含む水溶液の処理後に、リンス液として有機溶剤、特にグリコール系溶剤、グリコール系溶剤とアルコール系溶剤との混合液、グリコール系溶剤とアルコール系溶剤と水との混合液を使用する。また、半導体基板の洗浄液として、フッ化水素とフッ化アンモニウムとグリコール系溶剤と水との混合液、フッ化水素とフッ化アンモニウムとグリコール系溶剤との混合液、フッ化アンモニウムとグリコール系溶剤との混合液を用いる。更に、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含む水溶液、又はフッ化アンモニウムと水との混合液による洗浄処理と、水洗処理とを繰り返し行う。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体基板を洗浄する工程を含んでなる半導体装置の製造方法であって、この洗浄工程が、少なくともフッ化水素又はフッ化アンモニウムを含有する水溶液による洗浄処理と、この洗浄処理後の有機溶剤系リンス液によるリンス処理とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 D