特許

J-GLOBAL ID：200903010881712335

半導体不揮発性記憶装置およびデコーダ回路

発明者： 荒川 秀貴 ,  田中 陽 ,  荒瀬 謙士朗 ,  宮下 勝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147095
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】低電圧化を図れることはもとより、アクセス時間の向上、製造工程の簡単化を図れ、また、セルサイズの増大なしに高速の書き込み/消去動作を実現できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】1本の主ビット線MILに対して、それぞれi個のメモリトランジスタMT01〜MT04、MT11〜MT14がそれぞれ接続された2本の副ビット線SBL1 ,SBL2 を並列に接続し、かつ、主ビット線MILと各副ビット線SBL1,SBL2 との間に配置される選択ゲートSGT1 ,SGT2 を、2つの選択トランジスタST01とST02、並びに、ST11とST12をそれぞれ直列に接続し、選択ゲートSGT1 の選択トランジスタST02、並びに選択ゲートSGT2 の選択トランジスタST11とを、デプレッションタイプのトランジスタにより構成する。

請求項（抜粋）：

1本の主ビット線と、メモリトランジスタが接続され、上記主ビット線に対して並列に配置された複数の副ビット線と、上記主ビット線と各副ビット線との間に設けられ、各副ビット線を選択的に接続するそれぞれが2段に縦続接続された選択ゲートとを有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112

FI (3件)：

G11C 17/00 307 B ,  G11C 17/00 309 ,  H01L 27/10 433