半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255645
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085715
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】分離工程で強固な吸着が得られ、その後保持部材から簡単に取りはずすことができるなど後の工程が容易になる半導体層の分離方法とその分離方法を用いた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】半導体層4と半導体基板1の間に分離層2がある基板を用意する(a)。半導体基板1の分離層2との反対側の面を、半導体基板1と保持手段としての支持台15の間に薄くひいた水を冷却した氷層14で保持する(b)。分離層2で半導体層4を半導体基板1から分離する(c)。その後、室温に戻すことによって氷層14を溶かし、支持台15と半導体基板1を分離する。半導体基板1は、再生して、再び一連の工程に投入する。半導体層4は、太陽電池として使用する。このため、1枚の半導体基板1から、多くの太陽電池ユニットを製造することができ、低コストに役立つ。そのうえ、半導体層を、割れや欠けがなく、安定して分離することができる。

請求項（抜粋）：

半導体層と半導体基板の間の分離層で前記半導体層と前記半導体基板とを分離する半導体層の分離方法において、前記半導体基板の分離層との反対側の面を、氷層を利用して保持することを特徴とする半導体層の分離方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/02 , H01L 21/3063

FI (3件)：

H01L 31/04 X , H01L 21/02 B , H01L 21/306 L

Fターム (13件)：

5F043AA09 , 5F043AA40 , 5F043BB28 , 5F043DD10 , 5F043DD14 , 5F043DD30 , 5F043EE35 , 5F043EE36 , 5F043GG10 , 5F051DA03 , 5F051GA04 , 5F051GA11 , 5F051GA20

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