有機EL素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202145
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200141
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】トップエミッション型の有機EL素子において、陰極に有機層に悪影響を与える高温のアニールを必要とするITO等の金属酸化物の透明電極を形成する必要が無く、前記金属酸化物の透明電極の形成に起因する不具合をなくす。【解決手段】有機EL素子10は、陽極12と、発光層17む有機層13と、陰極14とが基板11上に順次積層され、かつ発光層17の発光が基板11と反対側から取り出されるように構成されている。陰極14は、アルカリ土類金属のカルシウムにより透明に形成された電子注入層18と、電子注入層18の有機層13に対向する面と反対側の面を覆い、電子注入層18を保護する役割を果たす金属(銀)により透明に形成された被覆層19とから構成されている。そして、陰極14の抵抗値が、前記陰極14と同形状でかつ同位置に形成されたITO(インジウム錫酸化物)製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

陽極と、少なくとも発光層を含む有機層と、陰極とが基板上に順次積層され、かつ前記発光層の発光が前記基板とは反対側から取り出される有機EL素子であって、前記陰極は、金属、金属合金又は金属化合物を材料として透明に形成された電子注入層と、前記電子注入層の前記有機層に対向する面と反対側の面を覆い、前記電子注入層を保護する役割を果たす金属又は金属合金により透明に形成された被覆層とから構成され、前記陰極の抵抗値が、前記陰極と同形状でかつ同位置に形成されたITO(インジウム錫酸化物)製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されていることを特徴とする有機EL素子。

IPC (3件)：

H05B33/28 , H05B33/14 , H05B33/22

FI (3件)：

H05B33/28 , H05B33/14 A , H05B33/22 A

Fターム (5件)：

3K007AB02 , 3K007AB03 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

有機EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-076041 出願人：セイコーエプソン株式会社

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