特許

J-GLOBAL ID：200903010887853801

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 植木 伸明 ,  福永 秀樹 ,  乙間 広己 ,  中山 秀生
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204110
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058404
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 簡便なプロセスで素子特性の良い半導体レーザ装置の製造方法を提供すること。【構成】 第1導電型半導体基板1上に、第1導電型クラッド層4とこの第1導電型クラッド層4上に位置し光閉じ込め層4,6によって挟まれた量子井戸層5を含む活性領域11とこの活性領域11上に位置する第2導電型クラッド層7とを形成し、この第2導電型クラッド層7の一部を化学的エッチングにより除去してメサストライプ10を形成し、熱処理を行うことによって、メサストライプ底部直下の活性領域12を無秩序化し、これにより、メサストライプ頂部直下の無秩序化されていない量子井戸層5をレーザ発振領域とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層とこの第1導電型クラッド層上に位置し光導波路層によって挟まれた量子井戸層を含む活性領域とこの活性領域上に位置する第2導電型クラッド層とを形成し、この第2導電型クラッド層の一部を化学的エッチングにより除去してメサストライプを形成し、熱処理を行うことによって、メサストライプ底部直下の活性領域を無秩序化し、これにより、メサストライプ頂部直下の無秩序化されていない量子井戸層をレーザ発振領域とすることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。