特許
J-GLOBAL ID：200903010889183684
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181223
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 基板上の素子等を封止する封止樹脂の密着力を向上させること。【解決手段】 本発明は、基板2上の略中央に搭載されるチップ状の素子3と、基板2上の略中央から周辺に向けて形成される配線パターン4と、素子3と配線パターン4とを接続するボンディングワイヤー5と、配線パターン4の表面を保護する保護膜であるソルダーレジスト6と、基板2上において素子3、配線パターン4およびボンディングワイヤー5を封止する封止樹脂7とを備えた半導体装置1であり、配線パターン4上のボンディングワイヤー5の接続部分4aより外側で、基板2の周縁より手前の領域に、基板2と封止樹脂7とが直接接触する密着領域Sを備えた構成となっている。
請求項（抜粋）：
基板上の略中央に搭載されるチップ状の素子と、該基板上の略中央から周辺に向けて形成される配線パターンと、該素子と該配線パターンとを接続するボンディングワイヤーと、該配線パターンの表面を保護する保護膜と、該基板上において該素子、該配線パターン、該ボンディングワイヤーを一体封止する封止樹脂とを備えている半導体装置であって、前記配線パターン上の前記ボンディングワイヤーの接続部分より外側で、前記基板の周縁より手前の領域に、該基板と前記封止樹脂とが直接接触する密着領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 A
, H01L 23/12 L
