特許

J-GLOBAL ID：200903010889526786

半導体記憶装置

発明者： 荒瀬 謙士朗 ,  遠藤 正文 ,  杉山 寿伸 ,  信方 浩美 ,  野田 昌敬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048740
公開番号（公開出願番号）：特開平10-228765
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】高速にページプログラムを行うことのできる半導体記憶装置を実現する。【解決手段】各ビット線毎に互いに対となる第1データラッチ回路群13および第2データラッチ回路群15を備え、交互に連続入力された第1ページプログラムデータ[Da]および第2ページプログラムデータ[Db]に対して、それぞれが相互並列にデータ転送ステップとデータプログラムステップを繰り返し行う。したがって、通常の2倍の速度でデータプログラムが可能である。また複数のページ領域にわたるページプログラムデータを、各ページプログラムデータ毎に分割して転送する必要がなく、外部コントローラの制御なしでデータプログラム動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

メモリセルがマトリクス状に配置された少なくとも一つのメモリアレイを有し、ページプログラムデータに従ってページ単位で電気的にデータのプログラムが行われる半導体記憶装置であって、一定のクロックパルスに同期して複数ページ領域のページプログラムデータを連続的に入力し、当該複数ページプログラムデータに従って連続的にページプログラムを行う手段を備えた半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 7/00 312 ,  G11C 8/04 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 7/00 312 C ,  G11C 8/04 ,  G11C 17/00 611 G