特許

J-GLOBAL ID：200903010891939699

サーマル・インクジェット・プリント装置およびその製造方法

発明者： デュアン・エイ・ファセン ,  ジェローム・イー・ベックマン ,  ジョン・エイチ・スタンバック ,  ウルリッチ・イー・ヘス ,  ジェームス・アール・ヒューリングス ,  ラリー・エス・メッツ ,  チャールス・イー・モーア
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 長谷川 次男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-185598
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：

【要約】【目的】サーマルインクジェットプリントヘッドの製造ステップ数および必要な材料数を低減して、製造効率を高くし、生産コストを下げる。【構成】MOSFETトランジスタを組み込んだサーマルインクジェットプリントヘッドの製造において、ケイ素基板70上の二酸化ケイ素層72を酸化し、多結晶ケイ素層90のエッチングの後、その下部の二酸化ケイ素72、窒化ケイ素76を残して他を除去し、ゲート110を形成することによって、製造工程を簡略化する。

請求項（抜粋）：

ケイ素からなる基板と、上記基板上に設けられ、ソース領域とドレイン領域間にゲートを配置してなるMOSFETトランジスタであって、上記ゲートが、上記基板上の二酸化ケイ素の層と、上記二酸化ケイ素上の窒化ケイ素の層と、上記窒化ケイ素上の多結晶ケイ素の層とからなるものと、二酸化ケイ素からなり、上記MOSFETトランジスタを囲む上記基板上の電界酸化層と、上記電界酸化層と上記MOSFETトランジスタを覆うと共に、上記MOSFETトランジスタのソース領域、ドレイン領域およびゲートへの通路となる複数の貫通孔を設けてなる誘電材料の層と、上記誘電材料の層上に設けられ、該誘電材料の層に設けた貫通孔を通して上記ソース領域、ドレイン領域およびゲートに直接電気的に接触する電気抵抗性の材料の層と、上記電気抵抗性の材料の層に加熱抵抗器として機能する少なくとも一つの覆われない部分と、上記ソース領域、ドレイン領域およびゲートを覆われた部分を形成するよう、上記電気抵抗性の材料の層上に設けられて、多層構造を形成する導体材料の層と、上記加熱抵抗器上に設けられる保護材料の部分と、上記保護材料の部分に取付けられ、少なくとも一つの貫通孔を有するプレート部材と、からなり、上記保護材料の部分における上記プレートの貫通孔の直下の部分を除去してインク受けキャビティを形成すると共に、該インク受けキャビティに上記加熱抵抗器の熱が伝達するように、該加熱抵抗器を上記インク受けキャビティの直下に整列させて配置した、ことを特徴とするサーマル・インクジェット・プリントヘッド。

IPC (2件)：

B41J 2/16 ,  B41J 2/05

FI (2件)：

B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-158268
  
• 特開昭50-108912
  
• 特開昭58-176975