特許

J-GLOBAL ID：200903010901739863

ヘテロ構造半導体発光素子

発明者： ブチャン・ニコラス・アイ ,  ヒューベルゲル・ビリィ ,  ロエントゲン・ペテル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334514
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237049
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 改良されたヘテロ構造半導体レーザダイオードまたは発光ダイオードを提供することにある。【構成】 活性領域31をもつヘテロ構造レーザダイオードは、三元または四元の半導体化合物を有しており、活性領域の半導体化合物の組成は、変調されている。変調は、レーザダイオードのエピタキシャル層へ垂直な、すなわちz軸へ平行な、変調歪プロファイル(Δa/a)、例えば長方形鋸歯状歪プロファイルを有する活性領域を生じる。本発明の要旨は、歪を増大させること、および補償すなわち反対の歪をもつ歪層を挿入することによりミスフィット転位の形成を回避することである。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つがポテンシャル障壁を与える、上側クラッド層(30,80)と下側クラッド層(32,82)との間に埋込まれた四元化合物半導体活性領域(31,81)をもつヘテロ構造半導体発光素子(38,86)において、前記活性領域(31,81)は、相互に積層された圧縮歪および引張り歪サブ層を有し、レーザダイオード層に垂直な変調歪プロファイルを有する活性領域(31,81)を与えることを特徴とするヘテロ構造半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-130988
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158841   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-021093
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061772   出願人：株式会社日立製作所