特許
J-GLOBAL ID：200903010902252518
サーミスタ装置およびサーミスタ装置の抵抗値調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089670
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283305
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 コストダウンされ、初期抵抗値の調整が容易なサーミスタ装置を提供する。【解決手段】 サーミスタ装置50は、絶縁性基板51と、絶縁性基板51上に形成された第1電極膜52a,第2電極膜52b,52c,52dと、第1電極膜52aと第2電極膜52b,52c,52dをそれぞれ接続するように、絶縁性基板51上に形成されたサーミスタ膜53b、53c、53dとから構成されている。このサーミスタ装置50では、サーミスタ膜53bが、主サーミスタ膜であり、サーミスタ膜53c,53dが抵抗値調整用サーミスタ膜である。第2電極膜52bは、主サーミスタ膜53bと接続されており、配線パターンの本線の役割を果たす。第2電極膜52c,52dはそれぞれ、抵抗値調整用サーミスタ膜53c,53dと接続されており、配線パターンの支線となる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成された第1電極膜および第2電極膜と、該第1電極膜と第2電極膜の間に設けられたサーミスタ膜とからなり、前記サーミスタ膜は、前記第1電極膜と前記第2電極膜との間で並列状に、複数条に分割されており、前記第2電極膜は、前記サーミスタ膜に対応して複数に分割されており、前記サーミスタ膜の一端のそれぞれは、前記第1電極膜で共通に導通されており、前記サーミスタ膜の他端は、それぞれが独立して、前記第2電極膜と接続されていることを特徴とするサーミスタ装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01C 7/04
, H01C 17/24 A
, H01C 17/24 C
