特許
J-GLOBAL ID：200903010904721728
CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-302473
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：
【要約】【目的】 パージガスを基板外周縁に吹出すCVD装置で、吹出しの不均一をなくして裏面成膜の発生を防止し、基板全面に良好な分布の成膜を行い、高い生産性と高い歩留まりを達成し、低圧条件の成膜にも対処する。【構成】 反応容器11内に配置される基板保持体13の上に例えば差圧チャックで基板15を固定し、基板の外周縁周囲からパージガス通路29とパージガス吹出し溝28を通ったパージガスを吹出す構成を有し、さらにパージガス通路がパージガス吹出し溝の外壁面に開いたパージガス吐出口を有するように形成される。また基板保持体の周囲に設けたリング板部52b と筒部52a を含むシールド部材52によって、基板の外周縁に第2のパージガスを供給する通路を形成することも可能である。
請求項（抜粋）：
反応容器と、前記反応容器内に配置され、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上に配置された前記基板を当該基板の成膜面に押力を加えることなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガスを前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたCVD装置において、前記パージガス通路は、前記基板保持手段の径方向に向く径方向部を含み、前記パージガス吹出し溝の前記外壁面に設けられるパージガス吐出口を有するように形成されることを特徴とするCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
