半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 重野隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-113813
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267021
出願日： 2008年04月24日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】チャネル移動度の低下を防止して、パンチスルーストッパを形成する。【解決手段】半導体基板100と、前記半導体基板上に形成され、長手方向と短手方向とを有し、順に積層されたボロンを含むシリコン炭化膜とシリコン膜とを有する半導体層110と、少なくとも前記半導体層の前記短手方向の側面に形成されたゲート電極150と、前記半導体層に形成され、前記ゲート電極の前記長手方向に隣接して形成されたソース・ドレイン領域111、112と、前記半導体層の側面であって、前記ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された素子分離絶縁膜130と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、長手方向と短手方向とを有し、ボロン又はインジウムを含むシリコン炭化膜と前記シリコン炭化膜上に設けられたシリコン膜とを有する半導体層と、少なくとも前記半導体層の前記短手方向の側面に形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成され、前記ゲート電極の前記長手方向に隣接して形成されたソース・ドレイン領域と、前記半導体層の側面であって、前記ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された素子分離絶縁膜と、を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 301X , H01L29/78 301Y , H01L29/78 301B

Fターム (23件)：

5F140AA18 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB05 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF42 , 5F140BG27 , 5F140BG43 , 5F140BH39 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-081559 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る