特許

J-GLOBAL ID：200903010911416302

パワーモジュール用基板及びその製造方法

発明者： 長瀬 敏之 ,  星野 孝二 ,  神田 義雄 ,  初鹿 昌文
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142287
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335652
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】放熱特性を損なわずに、熱変形を吸収してセラミック基板の反りや割れを防止できる。【構成】セラミック基板13に金属薄板14が直接積層接着され、この金属薄板14に可塑性多孔質金属層17を介してヒートシンク18が積層接着される。ヒートシンク18はセラミック基板13と異なる熱膨張係数を有する。セラミック基板13はAl2O3により形成され、金属薄板14はCuにより形成され、可塑性多孔質金属層17は気孔率20〜50%のCuの多孔質焼結体である。またヒートシンク18はCuにより形成され、可塑性多孔質金属層17にはシリコーングリースが充填される。

請求項（抜粋）：

セラミック基板(13)に直接又はろう材(51)を介して積層接着された金属薄板(14)と、前記金属薄板(14)に可塑性多孔質金属層(17)を介して積層接着され前記セラミック基板(13)と異なる熱膨張係数を有するヒートシンク(18,48)とを備えたパワーモジュール用基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/373

FI (4件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/36 M