半導体素子の配線構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189184
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026464
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のチップ面積を拡げることなく,十分なパターン幅の配線パターンを形成することが可能な半導体素子の配線構造と,その製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子1の裏面3には,配線溝5およびバイアホール7,9が形成されており,半導体素子の表面に形成された素子引出電極ERとボンディングパッドBPは,配線溝5の底面に形成された裏面配線13およびバイアホール7,9に形成された貫通配線によって電気的に接続される。

請求項（抜粋）：

半導体素子の表面に形成される素子引出電極とボンディングパッドとを電気的に接続する半導体素子の配線構造において:前記半導体素子の裏面に形成される配線溝と;前記配線溝の底面に形成される裏面配線と;前記半導体素子の表面と前記配線溝の底面とを貫通するバイアホールと;前記バイアホールを介して,前記裏面配線と前記素子引出電極および前記ボンディングパッドとを電気的に接続する貫通配線と;を備えていることを特徴とする半導体素子の配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 T , H01L 27/04 D

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