特許

J-GLOBAL ID：200903010912854788

ドライエッチング方法

発明者： 成田 雅貴 ,  堀 勝 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250166
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104227
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 Alを主成分としCuを含む配線層を異方性エッチングすることにより発生する残渣を効果的に除去できるドライエッチング方法を提供する。【構成】 基板上にアルミニウムを主成分とし銅を含む配線層およびその上に所定のパターンを有するマスク層を形成し、基板を真空容器内に設置し、真空容器内に塩素または臭素を含むエッチングガスを導入するとともに放電プラズマを発生させて、配線層を異方性エッチングする工程と、真空容器内にアルコール、ケトンおよびアルキルホスフィンからなる群より選択される少なくとも1種のガスを含有する処理ガスを導入するか、またはこれらの処理ガスを導入するとともに放電プラズマを発生させて基板の表面に存在するエッチング残渣を除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

基板上にアルミニウムを主成分とし銅を含む薄膜層およびその上に所定のパターンを有するマスク層を形成し、該基板を真空容器内に設置し、該真空容器内に塩素または臭素を含むエッチングガスを導入するとともに放電プラズマを発生させて、前記薄膜層を異方性エッチングする工程と、前記真空容器内にアルコール、ケトンおよびアルキルホスフィンからなる群より選択される少なくとも1種のガスを含有する処理ガスを導入するか、または該処理ガスを導入するとともに放電プラズマを発生させて前記基板の表面に存在するエッチング残渣を除去する工程とを具備したことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-188724
  
• 特開昭55-091842
  
• 特開平3-173125
  
• 特開平1-215986
  
• 特開昭60-086285