特許

J-GLOBAL ID：200903010917225525

光電変換素子及びその製造方法

発明者： 清水 悦朗
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018048
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 近赤外光程度に長い波長の入射光に対しても、応答速度が速く高感度の光電変換素子及びその製造方法を提供する。【構成】 n型シリコン基板101 の上にn- 型エピタキシャル層102 を形成し、その上にp型層103 を形成してpin 型フォトダイオード構造を構成し、p型層103 にはAl 膜のアノード電極104 を設け、基板101 にはAu 膜のカソード電極105 を設けると共に、p型層103 上に、入射光に対して低反射率で内部からの出射光に対しては高反射率となる受光部膜106 を形成してフォトダイオードを構成する。そして、エピタキシャル層102 の濃度は安定して形成可能な範囲内で低濃度に設定し、厚みは印加される逆バイアスで拡がる空乏層幅にほぼ一致するように設定し、また基板101 の厚さは、〔(照射光の吸収係数の逆数)>(基板の厚み)×2+(エピタキシャル層の厚み)〕を満足するように設定する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と該半導体基板より低い濃度の同一導電型のエピタキシャル層と反対導電型の拡散層よりなるpin 型フォトダイオード構造を有する光電変換素子において、エピタキシャル層の厚みは印加される逆バイアスで拡がる空乏層幅にほぼ一致するように設定すると共に、一導電型の半導体基板の厚みを、次式〔(照射光の吸収係数の逆数)>(半導体基板の厚み)×2+(エピタキシャル層の厚み)〕を満足するように設定し、且つ、一導電型の半導体基板の裏面をミラー化して該ミラー化裏面に高反射率の材料からなる電極を形成したことを特徴とする光電変換素子。