特許
J-GLOBAL ID：200903010918687700
リソグラフイ露光システム及びその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212141
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206017
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】ターゲツトの高さの変化に基づいて生ずる誤差を補償することである。【構成】パターンは、偏向フイールドより大きいチツプがモザイクパターンのM×Nのフイールドを露光することによつて形成され得るようにリソグラフイシステムにより位置合わせされて露光される。この方法は偏向フイールドを補正して基板上の前処理パターンの方向を補償し、当該ターゲツトに対して非垂直方向からランデイングするビームによつて生ずる高さに基づく誤差を補償する。上述の2つの基本的な手順は「3マーク」と呼ばれる方法であり、この方法は2×2のフイールドアレイにだけ適用でき、「M×N」方法は僅かに正確さに欠けるが一般的な状況を包含する。
請求項（抜粋）：
リソグラフイシステムの偏向フイールドより大きいチツプが偏向フイールドを補正して基板上の前処理パターンの方向を補償し、かつ上記基板に非垂直方向からランデイングするビームによつて生ずる高さに基づく誤差を補償してM×Nのフイールドを露光することによつて形成され得るように上記リソグラフイシステムを用いてパターンを位置合わせし、かつ露光させる方法において、(A)上記偏向フイールドを校正して上記フイールドにおける点の相対的配置誤差を除去するステツプと、(B)上記基板を基板上の前処理パターンについての3つ又は4つ以上の位置合わせマークに順次位置決めするステツプと、(C)各位置合わせマークを走査するステツプと、(D)少なくとも1つの前処理パターンの近傍の3つ又は4つ以上の位置において上記基板の高さを測定するステツプと、(E)上記少なくとも1つの前処理パターンについての位置合わせマークの位置の解析的描画を計算するステツプと、(F)上記前処理パターンの表面の解析的描画を上記高さ測定から計算するステツプと、(G)ステツプ(E)において決定された解析的描画に基づいて露光フイールドの解析的描画を計算するステツプと、(H)上記露光フイールドの角において基準格子と比較して上記前処理パターンの表面の高さをステツプ(F)において決定された解析式から計算するステツプと、(I)上記ステツプ(H)において計算された高さとの差に基づいてステツプ(G)において計算された露光フイールドの角の位置データを修正し、上記修正された位置データを用いて上記露光フイールドを上記基板上の上記前処理パターンに重ね合せるように上記露光フイールドを補正するステツプと、(J)上記基板を位置決めして上記フイールドを露光するステツプとを具えることを特徴とするパターン位置合わせ露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
