特許
J-GLOBAL ID:200903010924419998

粒子線照射装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-137350
公開番号(公開出願番号):特開2000-331799
出願日: 1999年05月18日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】本発明は、短くコンパクトな照射系でも散乱体の厚さを増やすことなく高エネルギーの粒子ビームのエネルギー利用効率を高く維持することができ、そのうえ速い繰り返しのシンクロトロンを用いてもワブラー偏向電磁石を用いて一様な照射野を形成でき、被検体の動きにも対応させることである。【解決手段】入射器1により生成されかつ予備加速されたイオンを、低エネルギービーム輸送系2から入射機器3によってシンクロトロン4に入射し、このシンクロトロン4においてさらに加速して例えば癌治療に供すべくエネルギーに達すると、出射機器5から高エネルギービーム輸送系6を通して照射系10に入射し、この照射系10における2組のワブラー偏向電磁石11、12に流れる各励磁電流の位相差及びその電流量を制御して、被検体8において粒子ビームを2重円を描くように制御する。
請求項(抜粋):
荷電粒子を加速器で高エネルギーの荷電粒子に加速してその粒子ビームを被検体に照射する粒子線照射装置において、前記加速器で加速された前記荷電粒子を偏向して少なくとも2重の円軌道を描かせる偏向手段、を具備したことを特徴とする粒子線照射装置。
FI (2件):
H05H 13/04 N ,  H05H 13/04 Q
Fターム (11件):
2G085AA13 ,  2G085BA20 ,  2G085BE10 ,  2G085CA05 ,  2G085CA16 ,  2G085CA18 ,  2G085CA20 ,  2G085CA24 ,  2G085CA26 ,  2G085DA10 ,  2G085EA07
引用特許:
審査官引用 (8件)
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