特許

J-GLOBAL ID：200903010924657341

薄膜コンデンサのサイドウォールの化学量論を向上させる方法

発明者： セム バスセリ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592873
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534805
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】高誘電率材料にドーパントをイオン注入してサイドウォールの化学量論を向上させる方法を開示する。特に、本発明は、Tiドーパントを用いた(Ba,Sr)TiO3(BST)のイオン注入に関する。また、本発明は、高誘電率材料をステップ状の構造の上全体に亘って形成するときに高誘電率材料に対して一様なドーピングを行うためにドーパントのイオン注入角度を変更する方法も提供する。さらに、本発明は、BSTの水平区分の上全体に亘ってキャップ層を形成して、BST膜の水平区分へのドーパントの注入を軽減する。また、本発明は、コンデンサ構造において絶縁層として化学量論的に使用される向上したサイドウォールを有する高誘電率材料の薄膜の集積回路に関する。

請求項（抜粋）：

3次元的な基板上に形成した高誘電率薄膜材料の化学量論を維持する方法であって、 第1レベル及び第2レベルを有する基板を設け、これら第1レベル及び第2レベルが前記第1レベルと第2レベルとの間のサイドウォール領域によって接続されているステップと、 前記基板上に高誘電率薄膜材料を形成するステップと、 前記高誘電率薄膜材料の化学量論を維持するために、前記高誘電率薄膜材料に対してイオン注入によってドーパントをドーピングするステップとを具えることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (8件)：

5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37