特許

J-GLOBAL ID：200903010926531302

銅めっき浴およびこれを用いる基板のめっき方法

発明者： 萩原 秀樹 ,  君塚 亮一 ,  寺島 佳孝 ,  丸山 恵美 ,  三宅 隆 ,  長澤 浩 ,  佐保田 毅 ,  飯村 誠司
出願人/特許権者： 荏原ユージライト株式会社 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (2件)： 小野 信夫 ,  高橋 徳明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002004509
公開番号（公開出願番号）：WO2002-090623
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月14日
要約：

アミン類とグリシジルエーテルの反応縮合物および/または該縮合物の4級アンモニウム誘導体を含有することを特徴とする銅めっき浴及び該めっき浴を用いた基板のめっき方法が開示されている。本発明により、シリコンウェハ等の半導体基板やプリント基板等、微細な回路パターンやブラインドビアホール、スルーホール等の微小孔等を有する基板に対して、高い信頼性で銅めっきを行うことのできる銅めっき浴およびこれを用いるめっき方法を提供することができる。

請求項（抜粋）：

アミン類とグリシジルエーテルの反応縮合物および/または該縮合物の4級アンモニウム誘導体を含有することを特徴とする銅めっき浴。

IPC (4件)：

C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

FI (4件)：

C25D3/38 ,  C25D7/00 J ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 E