半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034424
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245396
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】積み上げ拡散層を比較的低温で精度よく形成する。【構成】シリコン基板101上にフィールド酸化膜102と第1のシリコン酸化膜104を含むゲート電極105を形成した後、多結晶シリコン膜108を形成し、化学的機械的研磨法により第1のシリコン酸化膜104が露出するまで研磨し、不要な多結晶シリコン膜を除去し、ゲート電極105端近傍での多結晶シリコン膜の厚みAが、その他の厚みBより厚くなっていることを特徴とする。【効果】知チャンネル効果を抑止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、該ゲート電極に近接して電気的に分離されて上記一主面に積み上げられた半導体層とを備え、上記ゲート電極端近傍での上記一主面から上記半導体層の表面までの高さが上記半導体層の中で最も高く、上記半導体層が上記素子分離領域まで延在し、上記半導体層が上記ゲート電極をゲートとするトランジスタのソース、ドレイン領域であることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-093150
特開昭58-184765
特開昭58-141571

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審査官引用 (17件)

短チャネルMOS型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203116 出願人：ソニー株式会社
特開平3-138930
特開平3-138930

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