特許

J-GLOBAL ID：200903010929536267

DRAMの内部電圧発生装置

発明者： 田口 宏幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252903
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103762
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】DRAMの内部電圧発生装置において、消費電力の低減を図ること。【構成】内部電池でデータを保持する状態であるバッテリバックアップモード(M2)において動作しないDRAMの内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給する装置であって、並列に接続され、定電圧(Vc)を生成する複数の電圧生成手段(V1〜Vn)を具備し、かつ前記通常動作時のモード(M1)では全部の前記電圧生成手段(V1〜Vn)が前記DRAMの内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給し、前記バッテリバックアップモード(M2)では前記電圧生成手段(V1〜Vn)の一部又は全部が前記DRAMの内部回路(DR)への定電圧(Vc)の供給を停止する。

請求項（抜粋）：

バッテリバックアップモード(M2)において動作しない内部回路(DR)を含むDRAMに定電圧(Vc)を供給する装置において、定電圧(Vc)を生成し、かつ並列に接続された複数の電圧生成手段(V1〜Vn)を具備し、通常動作時のモード(M1)では全部の前記電圧生成手段(V1〜Vn)が前記内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給し、バッテリバックアップモード(M2)では前記電圧生成手段(V1〜Vn)の一部又は全部が前記内部回路(DR)への定電圧(Vc)の供給を停止することを特徴とするDRAMの内部電圧発生装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-152791
  
• 特開平4-070207
  
• 特開昭60-045997
  
• 特開平4-057289