特許

J-GLOBAL ID：200903010933106390

電子部品の製造方法

発明者： 笠 島 耕 之 ,  萬 代 治 文
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002190
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 量産性に優れ、かつ、安価に、所望の膜厚を有する電極を形成することができる、電子部品の製造方法を提供する。【構成】 この電子部品の製造方法では、まず、たとえば複数の孔14を有する基板12が準備される。次に、基板12の電極不要部分には、たとえばスクリーン印刷で、めっきレジスト皮膜16が形成される。さらに、それらの表面には、無電解めっき方式でたとえばNiおよびCuなどの金属材料がめっきされることにより、第1のめっき皮膜18が形成される。それから、めっきレジスト皮膜16およびそのめっきレジスト皮膜16の表面の第1のめっき皮膜18は、たとえば酸および腐食剤などの剥離溶剤で除去される。そして、第1のめっき皮膜18の表面には、たとえば熱処理により、薄い酸化皮膜20が形成される。さらに、酸化皮膜20の表面には、電解めっき方式でたとえばNi,SnおよびSnとPbの合金などの金属材料がめっきされることにより、第2のめっき皮膜22が形成される。

請求項（抜粋）：

孔または凹部が設けられた基板を有する電子部品の製造方法であって、前記基板を準備する工程、前記基板の電極不要部分にめっきレジスト皮膜を形成する工程、無電解めっき方式により、前記基板の表面および前記めっきレジスト皮膜の表面に第1のめっき皮膜を形成する工程、前記めっきレジスト皮膜および前記めっきレジスト皮膜の表面に形成された前記第1のめっき皮膜を除去する工程、および電解めっき方式により、前記第1のめっき皮膜の表面側に第2のめっき皮膜を形成する工程を含む、電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

C25D 5/02 ,  C23C 18/16 ,  C25D 5/56

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-239592
  
• 特開昭49-050460
  
• 特開昭49-039759