GaAs基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094588
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302739
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の厚みを個別に表示し、半導体基板の上昇を抑え、かつ、半導体デバイスの厚さを限界まで薄くさせたGaAs基板を提供する。【構成】GaAs基板1において、その表面または裏面のいずれかまたは双方に、前記基板1の厚さまたはそれを識別できる記号5をドッテイングタイプのレーザーマークにより刻印したことを特徴とするものである。これにより、パーティクルを発生させず、かつのちの集積回路形成工程にて前記識別マーキングが消失せず、前記基板表面に夾雑物を付着させずに、前記基板の厚さまたはその厚さを識別できる記号を表示することができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板において、その表面もしくは裏面のいずれかまたは双方に、前記基板の厚さもしくはその厚さを識別できる記号のいずれかをドッテイングタイプのレーザーマークにより刻印したことを特徴とするGaAs基板。

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