半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084228
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297187
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜を平坦化し、かつ金属配線の腐蝕を防止する。【構成】下層配線2上の層間絶縁膜として、シリコン酸化膜3とシリコン窒化膜4を形成し、次でシリコン窒化膜4の残膜が200nm以上残る範囲で研磨し、シリコン窒化膜4を平坦化する。次で全面を洗浄し、さらにシリコン酸化膜とシリコン窒化膜のエッチングレートが等しいドライエッチング条件でエッチバックしてシリコン窒化膜4を完全に除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線を形成したのちプラズマCVD法により全面にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを順次形成する工程と、前記シリコン窒化膜を少くとも200nmの厚さに残すように研磨を行ないその表面を平坦化する工程と、平坦化された前記シリコン窒化膜の表面を洗浄したのち前記シリコン窒化膜と前記シリコン酸化膜とのエッチングレートの等しい条件でドライエッチングし前記シリコン窒化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/302 L

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