特許
J-GLOBAL ID：200903010935748691
SOI基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219021
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064319
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 基板の反りを緩和することができ且つ製造コストが安価なSOI基板およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板101と、このシリコン基板101の上面に形成されたSiO2 膜104と、このSiO2 膜104の上面に形成された単結晶シリコン膜105とを有するSOI基板において、シリコン基板101が、SiO2 膜104絶縁膜との界面と接するように形成された酸素析出物SiO2 の密度が零の無欠陥層102と、この無欠陥層102以外の領域に形成された当該無欠陥層102よりも高い酸素析出物密度を有する酸素析出物層103とを備える。
請求項（抜粋）：
SOI基板用半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の上面に形成された半導体膜とを有するSOI基板において、前記SOI基板用半導体基板が、前記絶縁膜との界面と接するように形成された、酸素析出物密度が零または低密度の第1の層と、この第1の酸素析出物層以外の領域に形成された、当該第1の層よりも高い酸素析出物密度を有する第2の層と、を備えたことを特徴とするSOI基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/322 Y
